中华人民共和国国家标准
多晶硅工厂设计规范
Codefordesignofpolysiliconplant
GB51034-2014
主编部门：中国有色金属工业协会
批准部门：中华人民共和国住房和城乡建设部
施行日期：2015年5月1日
中华人民共和国住房和城乡建设部公告
第530号
住房城乡建设部关于发布国家标准《多晶硅工厂设计规范》的公告
现批准《多晶硅工厂设计规范》为国家标准，编号为GB51034-2014，自2015年5月1日起实施。其中，第4.2.8、6.1.3(9)、6.1.6(3)、6.2.8(3)、8.1.1、8.2.1(2、3、5)、8.2.5(3)、8.3.1(2、3)、8.3.2(2)、8.6.4、9.1.3、9.3.4、9.4.3、9.5.2、10.1.3、10.3.4、10.3.6、10.3.9、11.1.6、11.2.3、12.2.5条(款)为强制性条文，必须严格执行。
本规范由我部标准定额研究所组织中国计划出版社出版发行。
中华人民共和国住房和城乡建设部
2014年8月27日
前言
本规范是根据住房城乡建设部《关于印发<2011年工程建设标准规范制订、修订计划>的通知》(建标[2011]17号)的要求，由中国有色工程有限公司、中国恩菲工程技术有限公司会同有关单位共同编制完成的。
在本规范编制过程中，编制组进行了广泛深入的调查研究，认真总结了我国多晶硅行业的设计、科研、建设和管理经验，并在广泛征求意见的基础上，通过反复讨论、修改和完善，最后经审查定稿。
本规范共分12章和3个附录，主要内容包括：总则，术语，基本规定，厂址选择及厂区规划，工艺设计，电气及自动化，辅助设施，建筑结构，给水、排水和消防，采暖、通风与空气调节，环境保护、安全和卫生，节能、余热回收等。
本规范中以黑体字标志的条文为强制性条文，必须严格执行。
本规范由住房城乡建设部负责管理和对强制性条文的解释，由中国有色金属工业工程建设标准规范管理处负责日常管理工作，由中国恩菲工程技术有限公司负责具体技术内容的解释。在本规范执行过程中如有意见和建议，请寄送中国恩菲工程技术有限公司(地址：北京市海淀区复兴路12号，邮政编码：100038)，以供今后修订时参考。
本规范主编单位、参编单位、参加单位、主要起草人和主要审查人：
主编单位：中国有色工程有限公司
中国恩菲工程技术有限公司
参编单位：华陆工程科技有限公司
洛阳中硅高科技有限公司
多晶硅制备技术国家工程实验室
江西赛维LDK光伏硅科技有限公司
参加单位：国电内蒙古晶阳能源有限公司
昆明冶研新材料股份有限公司
主要起草人：严大洲杨永亮毋克力肖荣晖汤传斌郑红梅罗英陈希勇吴崇义唐广怀陈维平薛民权付小林姚又省杨健吴昌元朱龄赵晓静李超杨志国孙兵司文学姜利霞张升学谢冬晖万烨王利强高晓辉
主要审查人：朱黎辉袁桐杨铁荣贺东江周齐领江元升陈廷显崔树玉银波刘毅
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1总则
1.0.1为规范多晶硅工厂的工程设计，提高工程设计质量，做到技术先进、经济合理、安全可靠、环保节能，制定本规范。
1.0.2本规范适用于采用三氯氢硅氢还原法的新建、扩建和改建多晶硅工厂的工程设计，也适用于硅烷歧化法多晶硅厂中三氯氢硅合成、四氯化硅氢化和氯硅烷提纯的工程设计。
1.0.3多晶硅工厂设计应积极采用节能、环保、高效、先进的装备和工艺，提高资源、能源利用率，实现物料、能源综合利用和清洁生产。
1.0.4多晶硅工厂设计除应符合本规范外，尚应符合国家现行有关标准的规定。
2术语
2.0.1三氯氢硅氢还原法trichlorosilanehydrogenreduc-tionprocess
经过不断完善的多晶硅生产主流工艺，是将高纯三氯氢硅与高纯氢气按一定比例通入还原炉，发生还原或热分解反应，在1050℃左右的高纯硅芯基体表面上沉积生长多晶硅;同时具备回收、利用生产过程中伴随产生的氢气、氯化氢、四氯化硅等副产物以及副产热能，最大限度地实现“物料内部循环、能量综合利用”的多晶硅生产工艺。
2.0.2多晶硅polysilicon
单质硅的一种形态，硅原子以晶格形态排列成许多晶核，晶核长成晶面取向不同的晶粒，晶粒组合结晶成多晶硅。根据用途可分为太阳能级和半导体级。
2.0.3还原尾气干法回收reductionoff-gasrecoverybydrymethod
一种相对于传统湿法回收尾气工艺的方法，利用尾气中各组分物理化学性质的差异采用冷凝、吸收、解析、吸附等方法，将其逐一分开回收、提纯，再重新返回生产系统循环利用。
2.0.4四氯化硅氢化silicontetrachloridehydrogenation
一种处理多晶硅副产物四氯化硅的方法，与氢反应将其转换成三氯氢硅。
2.0.5三氯氢硅合成trichlorosilanesynthesis
一种制取三氯氢硅的方法，将硅粉和氯化氢通入有一定温度的反应器内通过化学反应生成三氯氢硅。
2.0.6氯硅烷精馏chlorosilanedistillation
一种通过气液交换，实现传质、传热，使氯硅烷混合物得到高纯度分离的方法。
2.0.7液氯汽化liquidchlorinevaporization
一种将液氯加热蒸发成氯气的方法。
2.0.8氯化氢合成hydrogenchloridesynthesis
通过化学反应将氢气、氯气生成氯化氢气体的方法。
2.0.9盐酸解析hydrochloricacidstripping
一种将氯化氢从盐酸中解析出来的方法。
2.0.10还原炉reductionreactor
一种生产棒状多晶硅的专用设备。
2.0.11二氯二氢硅反歧化inversedisproportionatingofdi-chlorosilane
一种回收利用二氯二氢硅的方法，通过化学反应将二氯二氢硅与四氯化硅转化成三氯氢硅。
2.0.12多晶硅后处理polysiliconhandling
根据客户和产品分析检测的要求，多晶硅出炉后进一步处理的统称，包括切除头尾、钻棒、滚圆、破碎、分拣、称重、腐蚀、清洗、干燥及包装等。
2.0.13氯硅烷chlorosilane
硅烷(SiH4)中的氢原子部分或全部被氯原子取代后的物质统称。通常包括四氯化硅(SiCl4)、三氯氢硅(SiHCl3)、二氯二氢硅(SiH2Cl2)、一氯三氢硅(SiH3Cl)等。
2.0.14还原尾气reductionoff-gas
还原炉内生成多晶硅的反应过程中未参与反应的原料和生成的副产物的混合气体，主要包括氢气、气态氯硅烷及氯化氢等。
2.0.15防爆防护墙explosion-proofprotectivewall
具有一定防爆能力的隔墙，能防止爆炸产生的飞散物对设施及人员的伤害。
3基本规定
3.0.1太阳能级多晶硅工厂的设计规模应符合国家现行有关光伏制造行业规范条件的要求。
3.0.2多晶硅工厂应采用符合国家现行有关光伏制造行业规范条件要求的先进工艺技术、节能环保的工艺设备以及安全设施。
3.0.3多晶硅工厂设计应符合现行国家标准《多晶硅企业单位产品能源消耗限额》GB29447等有关安全、环保、节能、消防以及劳动卫生的规定。
4厂址选择及厂区规划
4.1厂址选择
4.1.1厂址选择应符合国家产业政策、用地政策、区域规划及行业专项规划的要求，并应按国家有关法律、法规及前期工作的规定进行。
4.1.2厂址选择时，应对建厂条件进行调查，应论证和评价厂址对当地经济、社会和环境的影响，并应满足防灾、安全、环保及卫生防护的要求。
4.1.3厂址选择应符合现行国家标准《工业企业总平面设计规范》GB50187及《化工企业总图运输设计规范》GB50489的相关规定，并应符合国家现行有关光伏制造行业规范条件的要求。
4.1.4厂址宜布局于能源充足、水资源有保障、基础设施配套成熟、产业链布局合理的化工园区，宜采用电厂-多晶硅-化工联营的建厂模式。
4.1.5厂址应具有满足工程建设要求的工程地质和水文地质条件，并应避开有用矿藏和文物遗址区。
4.1.6厂址应位于城镇、居民区、工业园区全年最小频率风向的上风侧，不应选在窝风及全年静风频率较高的区域。
4.1.7配套居住区应与厂区用地同时选择，并宜依托当地城镇的居住设施。
4.1.8厂址标高宜高于防洪标准的洪水位0.5m以上;不能满足要求时，厂区应有防洪设施，并应在初期工程中一次建成。当厂址位于内涝地区，并有排涝设施时，厂址标高应高于设计内涝水位0.5m以上。
4.1.9厂址选择应利用荒地、劣地、山坡地及非耕地，并应促进建设用地的集约利用和优化配置。
4.2厂区规划
4.2.1厂区近期规划应与企业长远发展、区域规划相一致，宜利用城市或园区已有的水、电、汽、消防、污水处理等公用设施;分期建设的工厂，近远期工程应统一规划，近期工程应集中、紧凑、合理布置，并应与远期工程合理衔接。
4.2.2厂区应根据工厂规模、生产工艺流程、运输、环保、防火、安全、卫生等要求，并结合当地自然条件规划。
4.2.3厂区规划应利用地形、地势、工程地质及水文地质条件，合理布置建(构)筑物，并应减少土(石)方工程量和基础工程费用。
4.2.4厂区应按功能分区规划，可分为生产区、公用工程及辅助设施区、储运区、行政办公及生活服务区。可能散发可燃气体的工艺装置、罐组、装卸区或全厂性污水处理场等设施，宜布置在人员集中场所、明火或散发火花地点的全年最小频率风向的上风侧;行政办公及生活服务区宜布置在厂区全年最小频率风向的下风侧，且环境洁净的地段;公用工程及辅助设施区宜布置在生产区与行政办公及生活服务区之间。
4.2.5厂区总平面设计应满足生产要求，应根据场地和气象条件布置;厂区总平面布置应满足节能环保的要求，并应保持生产系统流程和人流、物流的顺畅。车间布置应符合下列规定：
1还原车间、多晶硅后处理及检测分析等有洁净车间等级要求的生产单元应布置在厂区有害气体和固体尘埃释放源的全年最小频率风向的下风侧。
2多晶硅后处理、硅芯制备、检测分析及产品库宜贴邻还原厂房。
3氯硅烷精馏、四氯化硅冷氢化以及还原尾气干法回收等生产单元在满足生产、操作、安装及检修的条件下，应采用框架结构或露天布置，宜集中布置。
4液氯库、氯硅烷罐区、氢气罐区等宜靠近厂区一侧布置，并应设置安全的装卸场地、装卸通道和装卸设施;构成重大危险源的装置与厂外周边区域的防火间距应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016、《石油化工企业设计防火规范》GB50160的有关规定。
5原辅材料及产品应根据性质分类储存，并应布置在便于运输的地段。
6电力、动力、热力及供水设施宜位于负荷中心或接近服务对象，管线输送宜短捷。总降压变电站应接近还原车间、热氢化车间等用电负荷大的生产单元，并应保证进出线方便;还原车间、热氢化车间的余热回收或热能转换设施应接近或紧靠还原车间、热氢化车间、氯硅烷精馏装置。
7相对独立的生产单元的工艺辅助设施宜就近配置，应减少非相关系统对其的影响。
8循环水站宜布置于通风良好的场所，应远离无组织排放的粉尘或可溶性化学物质的地段。
9三废处理站应布置在厂区全年最小频率风向的上风侧，并远离生活区，应符合安全卫生要求。
10各生产单元宜采用集中控制，控制室应布置于爆炸危险区域外，应满足相关安全要求。
11生产区域内的生活设施宜独立布置或紧邻布置在一侧，并应位于甲类设施全年最小频率风向的下风侧，生活设施的设计应满足防火防爆的要求。
12办公楼、食堂等生产行政管理设施应与生产区分开布置，并宜布置在厂区全年最小频率风向的下风侧，宜根据城市干道和厂区道路情况确定工厂主要出入口的位置。
4.2.6厂区道路布置除应满足生产和消防的要求外，还应符合下列规定：
1应满足通道两侧建(构)筑物及露天设施对防火、安全、卫生间距的要求;
2应满足各种管线、管廊、道路、竖向设计及绿化布置的要求;
3应满足施工、安装及检修的要求;
4应满足预留发展用地的要求。
4.2.7厂区绿化应符合下列规定：
1应依据当地的气候条件、土壤等因素布置和选择;
2应与厂区总平面布置、管网相适应，并应与周围环境、建(构)筑物相协调;
3不应妨碍生产操作、设备检修、消防作业和物料运输;
4应根据生产特点、污染状况选择有利于安全生产和职业卫生的植物。
4.2.8厂区内或附近必须设置四氯化硅等还原反应副产物综合利用或处理设施，四氯化硅等还原反应副产物应综合利用，并应做到无害化处理。
4.2.9地下管线与建(构)筑物、其他管线的水平距离应根据工程地质条件、构架基础形式、检查井结构、管线埋深、管道直径和管内介质的性质等因素确定，并宜符合本规范附录A、附录B的规定。
5工艺设计
5.1一般规定
5.1.1三氯氢硅氢还原法多晶硅生产工艺流程的设计和工艺设备的选型应符合下列规定：
1应对建设规模、产品方案、建厂条件、原料与燃料性能及价格、能源消耗、经济效益等进行技术经济比较后确定工艺流程和主要设备;
2应选择符合国家制造标准、节能环保、先进高效、安全可靠的工艺设备;
3应采用符合循环经济要求的新技术、新工艺、新设备;
4物料平衡和能量平衡应根据选定的工艺流程进行计算;
5不同工序的系统设计、设备选型与配备应根据每个工序和单体设备的运转效率及中间产品的操作需求综合平衡后确定，并应保证生产系统的操作弹性和余量，同时应满足生产负荷变化和生产安全的要求;
6在高海拔、高寒和湿热地区建厂，应根据海拔高度对工艺计算、设备选型进行修正，所选用的设备应满足其特殊环境要求。
5.1.2工艺布置应符合下列规定：
1总平面布置应满足工艺流程的要求，宜留有发展空间;
2工艺车间宜根据工艺流程和设备选型确定，并应在平面和空间上，满足施工、安装、操作、维护、监测和通行的要求。
5.1.3工艺流程选择、设备选型及工艺布置，应根据多晶硅生产主要物料的易燃、易爆、有毒及火灾危险等危害特性确定。
5.1.4寒冷地区的管路系统应采取防冻措施。
5.1.5新建、改建或扩建工厂内各生产单元的蒸汽、电力及综合能耗总额，不应大于现行国家标准《多晶硅企业单位产品能源消耗限额》GB29447中规定的限额准入值。
5.1.6工艺生产装置应设有事故紧急排放设施，工艺废气应根据介质种类、粉尘含量和危险性单独或全厂分类、集中回收处理。
5.1.7工艺设计范围应包括三氯氢硅合成和四氯化硅氢化、氯硅烷提纯、三氯氢硅氢还原、还原尾气干法回收、多晶硅产品后处理、二氯二氢硅(DCS)反歧化等生产车间或单元，以及相应的工艺辅助设施。
5.1.8工艺生产系统内的设备、管道的材质以及管阀件，应根据物料性质和工况条件选取，并应采取相应的安全防护措施。
5.1.9工艺主要生产房间洁净度的设计要求宜符合本规范附录C的规定。
5.2三氯氢硅合成和四氯化硅氢化
5.2.1多晶硅工厂应有四氯化硅(STC)氢化装置，企业可根据生产规模、当地三氯氢硅供应以及投资规模等方面综合比较后确定是否增加三氯氢硅合成装置。
5.2.2三氯氢硅合成工序的原料之一的氯化氢(HCl)可采用氯化氢合成或盐酸解析工艺制取。
5.2.3液氯汽化工序的液氯汽化器应采用热水加热，水温宜为40℃～70℃，不应使用蒸汽加热，并应设置冬、夏季不同温度的冷、热水汽化液氯。液氯汽化工序的设计应符合现行国家标准《氯气安全规程》GB11984的有关规定。
5.2.4三氯氢硅合成工序应采用干、湿结合的除尘工艺，并应提高单次运行时间。
5.2.5三氯氢硅合成工序的工艺尾气应采用吸附装置回收氢气和氯化氢。
5.2.6合成和冷氢化工序宜设置硅粉干燥工序，干燥用气应回收循环使用。
5.2.7四氯化硅氢化装置应根据多晶硅生产规模、所在地区能源价格、投资成本及建设周期综合经济比较后确定采取高温氢化上艺、固定床冷氢化工艺或流化床冷氢化工艺。
5.2.8氢化装置宜与氢化冷凝液提纯装置临近布置。
5.2.9冷氢化装置应配套残液回收装置，并应就近配置。
5.2.10冷氢化装置宜独立设置于敞开或半敞开式的构筑物内，制冷系统可布置于建筑物内;附属辅助系统宜在满足防火间距的基础上毗连布置。
5.2.11主要设备选型应符合下列规定：
1氢气压缩机应选择密封性好、噪声小、故障率低的机型，宜设置备用机;
2宜选用运行稳定、故障率低、密封好的泵，应设置备用机。
5.3氯硅烷提纯
5.3.1提纯流程和塔内件应根据物料原料组分、提纯难易程度以及产品要求比较分析后确定。
5.3.2氯硅烷提纯宜选用差压耦合提纯技术。
5.3.3氯硅烷提纯工序的布置应符合下列规定：
1大直径塔宜独立、露天布置，用法兰连接的多节组合塔以及直径不大于600mm的塔宜布置于框架结构内;
2塔的布置宜采用单排形式，并应按提纯流程顺序以塔的外壁或中心线对齐，还应设置联合平台，各塔平台的连接走道结构应能满足各塔伸缩量及基础沉降的不同要求;
3附属设备宜靠近塔布置，并应留有安装、生产、维修空间;
4差压耦合塔的差压耦合再沸器、冷凝器和回流罐的标高宜逐渐降低。
5.3.4氯硅烷提纯工序宜选择运行稳定、故障率低、密封好的泵，应设置备用机。
5.3.5精馏控制方式应根据产品采出位置、进料方式、塔内温度和压力变化确定。可采用精馏段指标控制、提馏段指标控制或压力控制。
5.4三氯氢硅氢还原
5.4.1太阳能级多晶硅还原电耗应符合国家有关光伏制造行业规范条件的要求。
5.4.2还原炉供料系统应接近或紧靠还原车间布置。
5.4.3还原炉室应根据炉型的大小设置吊装行车，并宜配备专有的拆卸硅棒工具。
5.4.4热能回收利用装置应根据生产工艺系统的特性，回收还原炉内硅棒的辐射热量。
5.4.5生产太阳能级多晶硅的还原炉室应采用不低于三级过滤的洁净新风，生产半导体级多晶硅的还原炉室洁净度应大于8级。
5.4.6主工艺物料系统和还原炉夹套冷却系统应设安全阀等安全设施。
5.5还原尾气干法回收
5.5.1还原尾气干法回收设计范围应包括气体压缩、氯硅烷深冷分离、氢气吸附，以及再生后气处理等单元。
5.5.2还原尾气除尘工序宜在前端增加过滤器或采用其他解决尾气中无定形硅的技术。
5.5.3氯硅烷分离工序宜采用高压深冷方式回收氯硅烷，并宜采用高压低温吸收、低压高温解析方式回收氯化氢。
5.5.4还原尾气干法回收工序布置宜符合下列规定：
1宜临近还原车间布置;
2还原尾气干法回收工序的气体压缩系统、氯硅烷深冷分离、吸附提纯氢系统宜独立设置于敞开或半敞开式的构筑物内，制冷系统宜布置于密闭建筑物内;附属辅助系统宜在满足防火间距的基础上毗连布置。
5.5.5还原尾气干法回收工序的主要设备选型应符合下列规定：
1各系统内的设备能力应互相匹配，并应保证生产的连续性;
2氢气压缩机应选择密封性好、噪声小、故障率低、低电耗的机型，宜设置备用机;
3宜选用运行稳定、故障率低、密封好的泵，应设置备用机。
5.6硅芯制备及多晶硅产品后处理
5.6.1硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法。工艺路线选择应根据硅芯生产规模、能源价格等情况，经技术经济分析比较后确定。
5.6.2采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽。
5.6.3硅芯制备的房间应设置在洁净车间内。
5.6.4多晶硅后处理应包括产品运输、破碎、分拣、包装、腐蚀清洗等工序，其中运输、破碎、分拣、包装工序应符合下列规定：
1硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径、中间仓库位置及厂房工艺布置确定，并应靠近还原车间;
2硅棒运输车内衬板宜采用耐磨、不吸尘的非金属材料;
3硅棒破碎方式应根据生产规模、物料性能和产品粒度确定，可采用人工破碎或机械破碎;
4破碎工具与产品接触部分，应选用硬度大和强度高的材料;
5破碎系统应设置除尘装置;
6破碎粒度应符合现行国家标准《硅多晶》GB/T12963和《太阳能级多晶硅》GB/T25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求;
7破碎、分拣、包装应设置在洁净区内。
5.6.5腐蚀清洗工序应符合下列规定：
1腐蚀清洗应设置在洁净区内;
2腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口，并应与人员出入口分开;
3供酸室应与腐蚀清洗室分开布置，供酸室应布置在便于酸桶运输的地方，并应采取防护措施;
4腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风，废气应处理达标后再排放;
5输送强酸的管道应采用双层套管，外层宜采用透明聚氯乙烯(PVC)管。
5.7分析检测
5.7.1多晶硅工厂应设置单独的分析检测室，并宜在四氯化硅氢化、还原尾气干法回收、三废处理站等装置区内设置在线分析装置。
5.7.2分析检测室不应与甲、乙类房间布置在同一防火分区内，可独立设置于一侧。
5.7.3分析检测应包括下列内容：
1氯硅烷的含量、杂质、含碳化合物分析;
2硅粉的含量、杂质、粒度、碳含量分析;
3液氩中氧、氮含量分析;
4液氮中氧含量的分析，氮气中氢含量、氧含量和露点分析;
5氢气中氧含量、氮含量、氯硅烷含量、露点分析;
6水中氯离子(Cl-)、氟离子(F-)、化学含氧量(COD)、生化需氧量(BOD)、酸碱度(pH值)、硬度、全碱度、悬浮物、总磷、正磷分析;
7大气中氯化氢、氟化物、氮氧化物分析;
8多晶硅质量指标分析，指标分析包括多晶硅的导电类型、电阻率、少子寿命、氧含量、碳含量、表面金属杂质含量、体金属杂质含量的分析;
9合成原料氯化氢的纯度分析;
10液氯中三氯化氮、水含量分析。
5.7.4分析检测室中除化学分析外，其他分析检测室应设置在洁净区。
6电气及自动化
6.1电气
6.1.1供配电系统设计应符合下列规定：
1应根据多晶硅工厂特点、规模和发展规划设计;
2设计方案应依据多晶硅生产规模、负荷性质、用电容量及供电条件确定;
3应采用高效、节能、环保、安全、性能先进的电气产品。
6.1.2负荷分级及供电要求应符合下列规定：
1多晶硅工厂的双回路供电要求应符合现行国家标准《供配电系统设计规范》GB50052的规定。
2负荷分级及供电要求应符合现行国家标准《供配电系统设计规范》GB50052的规定。
3还原装置中还原炉电极、炉体及底盘冷却循环水泵、冷氢化装置的洗涤塔循环泵、整理装置的废气洗涤系统、工艺废气洗涤循环泵、消防系统等用电负荷应属于一级负荷中的特别重要负荷;工艺采取其他措施时，可按现行国家标准《供配电系统设计规范》GB50052的规定确定负荷等级。
4宜采用下列电源之一作为多晶硅工厂的应急电源：
1)供电网络中独立于正常电源的专用馈电线路宜采用10kV系统电源;
2)柴油发电机。
6.1.3电源电压选择及供电系统应符合下列规定：
1供电电压应根据多晶硅生产规模、当地公共电网现状及发展规划确定。
2变、配电所位置应根据负荷的容量及总图布置情况靠近负荷中心，且总变电所宜靠近还原车间。
3装置一级的配电电压宜采用10kV，低压配电电压应采用220V/380V。总变电所归用户管理时，还原变压器宜由二级10kV配电站或总变电所直供。
4供配电系统宜采取滤波等方式抑制高次谐波，并宜符合现行国家标准《电能质量公用电网谐波》GB/T14549的规定。
5还原调功设备宜采用多种电压等级、叠层控制原理。
6供配电系统应减少无功损耗，宜采用高压与低压补偿相结合及集中补偿与就地补偿相结合的无功补偿方式。企业计费处最大负荷时的功率因数不应低于0.90。
7低压系统接地形式宜采用TN-S或TN-C-S系统。
8消防负荷供配电设计应按现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016和《石油化工企业设计防火规范》GB50160的规定执行。
9应急电源与正常电源之间必须采取防止并列运行的措施。
10还原炉整流变压器和调功电气设备应为还原炉的专用成套设备，不属于车间变、配电所的设备，可布置在还原车间的非防爆区域内。
11还原炉成套调压变压器宜为环氧树脂绝缘的干式变压器。
6.1.4环境特性及配电设备选型应符合下列规定：
1爆炸危险区域划分应根据工艺装置特点确定，并应符合现行国家标准《爆炸危险环境电力装置设计规范》GB50058的有关规定。爆炸危险环境内的电力设备选择应按现行国家标准《爆炸危险环境电力装置设计规范》GB50058的有关规定执行。
2有洁净要求且为防爆区域的生产车间内，宜选择不易积尘、便于擦拭的防爆配电设备。
6.1.5照明系统应符合下列规定：
1照明设计应按国家现行标准《建筑照明设计标准》GB50034和《石油化工企业照度设计标准》SH/T3027的有关规定执行。
2生产装置应设照明配电箱、照明灯具和插座。
3工作照明灯具应按环境条件、厂房结构及生产装置条件选型和配置，光源可选用荧光灯、金卤灯等，并应满足照度要求;工业洁净车间内的照明光源宜采用高效荧光灯。
4应急照明灯具的选择和布置应根据环境条件、生产要求及安全要求确定，并应采用应急电源供电或选择带蓄电池的应急灯。
5厂区道路应设立柱式路灯。路灯照明宜采用节电装置供电，宜采用光电、时间自动控制及手动控制。
6.1.6防雷及接地系统可由电气系统工作接地、设备接地、静电接地、防雷保护接地组成，应符合下列规定：
1变电所内的配电变压器低压侧380/220V的中性点应直接接地，接地电阻不应超过4Ω。
2电气设备外露可导电部分和电缆铠装层均应可靠接地，电缆桥架应可靠接地，工艺设备应可靠接地。
3对爆炸、火灾危险场所内可能产生静电危险的设备和管道应采取静电接地措施，每组专设的静电接地体的接地电阻值应小于100Ω。
4建(构)筑物应按现行国家标准《建筑物防雷设计规范》GB50057的规定采取防雷保护措施，防雷接地装置的接地电阻应符合现行国家标准《建筑物防雷设计规范》GB50057的有关规定。
5变压器中性点接地、防静电接地、设备接地、防雷接地等共用接地装置时，总接地电阻不应大于4Ω;工作接地、保护接地、防雷接地与电子信息系统接地共用接地方式时，接地电阻不应大于1Ω。
6.2自动化
6.2.1仪表和控制系统选型应符合下列规定：
1分散型控制系统(DCS)及相关设备选型应符合国家现行标准《石油化工分散控制系统设计规范》SH/T3092、《分散型控制系统工程设计规范》HG/T20573及《石油化工安全仪表系统设计规范》GB50770的有关规定;
2分散型控制系统(DCS)、安全仪表系统(SIS)、安全栅等设备宜由分散型控制系统(DCS)供货商统一提供;
3多晶硅工厂的罐区、还原炉室等场合应设置工业电视监控系统;
4自控仪表选型应符合现行行业标准《石油化工自动化仪表选型设计规范》SH3005、《自动化仪表选型设计规范》HG/T20507的有关规定。
6.2.2温度仪表选型应符合下列规定：
1温度刻度应采用直读式，温度仪表正常使用温度应为量程的50%～70%，最高测量值不应超过量程的90%。
2就地温度指示仪表宜选用带外保护套管的万向型双金属温度计。温度宜为—80℃～500℃，刻度盘直径宜为100mm。
3集中检测温度仪表选型应符合下列规定：
1)—200℃～500℃的介质宜选用Pt100热电阻或一体化温度变送器;
2)超出500℃的介质宜选用K型热电偶或电偶型一体化温度变送器，热电偶的允差等级应为Ⅰ级;
3)温度套管的材质应按介质的特性选择，用于测量硅粉介质的温度计套管宜选用耐磨材料，测温元件的接线盒宜为不锈钢;
4)还原炉内、中、外硅芯(棒)的温度测量仪表宜采用高温红外测温仪，且宜选用双色红外测温仪。
6.2.3压力仪表的选型应符合下列规定：
1测量稳定压力时，正常操作压力应为量程的1/3～2/3;测量脉冲压力时，正常操作压力应为量程的1/3～1/2;测量压力高于4.0MPa时，正常操作压力应为量程的1/3～3/5。
2就地压力仪表宜选用不锈钢型弹簧管压力表，并宜径向无边，刻度盘直径宜选用100mm;精度宜选用1.5级，精密测量和校验用压力表的精确度宜为0.4级、0.25级或0.16级。弹簧管压力表受压检测元件宜选用不锈钢材质。
3特殊介质的压力测量仪表选型应符合下列规定：
1)微压测量宜采用膜盒压力表或差压压力表;
2)氯硅烷介质宜采用隔膜式压力表;
3)氧气应选用氧气压力表;
4)黏稠、易结晶、含有固体颗粒或腐蚀性的介质应选用隔膜压力表或膜片压力表，隔膜或膜片的材质应根据测量介质的特性选择;
5)安装于振动场所或振动部位时，宜选用不锈钢耐振压力表;
6)安装在爆破片后的压力表宜采用带有记忆功能的压力表;
7)测量硅粉压力应采取防堵措施。
4压力和差压变送器的选型应符合下列规定：
1)采用标准信号传输时，可选用压力和差压变送器，精度不应低于±0.075%;也可选用法兰隔膜式压力变送器，精度不应低于±0.2%。
2)微压、负压测量宜选用绝对压力变送器及差压变送器。
3)黏稠、易结晶、含有固体颗粒或腐蚀性的介质应选用法兰隔膜式压力和差压变送器;当采取灌隔离液、吹气或冲洗液等措施时，宜选用一般的压力和差压变送器。
4)对于易冷凝、结晶的仪表，宜采用法兰隔膜式压力和差压变送器。
6.2.4流量仪表的选型应符合下列规定：
1流量仪表的最大流量刻度读数不应超过90%，正常流量的刻度读数宜为50%～70%，最小流量的线性刻度读数不应小于10%，最小流量的方根刻度读数不应小于30%;
2循环冷却水宜选用电磁流量计，但测量脱盐水及超纯水的流量时，不应使用电磁流量计;
3含有杂质或硅粉的氯硅烷宜选用靶式流量计;
4还原炉氢气进料流量控制仪表宜选择精度不小于±0.5%且大量程比的控制仪表，并宜具有温、压补偿和控制程序组态功能，不宜使用科氏力质量流量计及对工艺管道过多缩径;
5氯硅烷介质的流量仪表宜选用质量流量计、靶式流量计、可变面积流量计、容积式流量计。差压式流量仪表宜用于其他介质。
6.2.5液位仪表的选型应符合下列规定：
1就地指示的液位测量宜选用磁性浮子液位计，磁性浮子液位计的选型应符合下列规定：
1)测量黏度高于600mPa·s的介质不宜使用磁性浮子液位计;
2)最大长度不宜大于4000mm;
3)当介质密度400kg/m3～2000kg/m3时，介质密度差应大于150kg/m3;
4)易冻、易凝介质应选用电伴热;
5)低温介质应选用防霜式仪表。
2远传指示液位仪表的选型应符合下列规定：
1)宜采用差压变送器或双法兰差压变送器，当差压变送器不能满足最小或最大量程要求时，可选用雷达、磁致等形式的液位变送器;
2)含固体颗粒介质的液位测量应采用超声波液位计、导波雷达液位计或放射性料位仪计;
3)罐区液位测量宜采用带有现场就地指示仪表的雷达或伺服液位计，用于控制或控制室监视的液位仪表精度不应低于±3mm;用于计量的液位仪表精度不应低于±1mm。
3液(界)位开关宜选用外浮筒液位开关或音叉液位开关。
6.2.6压力、差压、流量、液位变送器宜选用智能变送器。变送器应符合下列规定：
1外壳材料宜为不锈钢;接液材质应根据介质选择，但不应低于316SS。
2现场指示表头宜为数字液晶表头，环境温度低于—20℃时宜采用发光二极管(LED)表头。
3安装支架宜采用碳钢，在腐蚀环境下可采用不锈钢。
4需要配二阀组或三阀组的变送器应成套提供。
6.2.7调节阀的选型应符合下列规定：
1泄漏量小、阀前后压差较小的场合宜选用单座调节阀;
2泄漏量要求不严、阀前后压差大的场合宜选用双座调节阀;
3阀前后压差较大、介质不含固体颗粒的场合宜选用套筒调节阀;
4高压差调节阀宜采用角型调节阀;
5对调节精度要求不高、无气源的场合可选用自力式调节阀;
6含有固体介质的场合应选用陶瓷滑板阀、耐磨球阀或盘阀等耐磨阀。
6.2.8可燃、有毒气体检测仪表设计及选型应符合现行国家标准《石油化工可燃气体和有毒气体检测报警设计规范》GB50493的有关规定，并应符合下列规定：
1对于氯硅烷的泄漏检测宜选用氯化氢有毒气体检测器;
2可燃气体、有毒气体检测报警系统宜独立设置;
3报警信号必须发送至现场报警器和有人值守的控制室或现场操作室的指示报警设备，并必须进行声光报警;
4便携式可燃气体或有毒气体检测报警器的配备，应根据生产装置的场地条件、工艺介质的易燃易爆及毒性和操作人员数量等确定。
6.2.9分析仪表选型应符合下列规定：
1分析仪表应根据工艺要求和控制技术选择。
2样品预处理系统应根据样品的可燃性、与水反应、样品有毒的特点进行设计。样品预处理系统应配置氮气吹扫系统和干燥器。
3色谱的大气平衡阀(SSO阀)应采用哈氏C材质。色谱样品阀驱动气应采用氮气。
6.2.10控制室的设置应符合下列规定：
1中心控制室内应设有操作员间、机柜间、工程师站间、维修间、不间断电源(UPS)间、空调室及管理和生活设施，并应符合现行行业标准《石油化工控制室设计规范》SH/T3006和《控制室设计规定》HG/T20508的有关规定;
2控制室室内温度，冬季宜保持在18℃～20℃，夏季宜保持在25℃～30℃，相对湿度宜保持在40%～70%;
3公用工程装置宜设就地控制室，控制室内宜设独立的不间断电源(UPS)，与主装置相关的工艺参数可通信至中心控制室;
4还原工段为易燃、易爆且需要操作人员进行现场监控和操作的区域，可在还原车间现场设置防爆屏进行监控。
6.2.11仪表电源、接地、气源、热源应符合下列规定：
1在中心控制室及就地控制室设置不间断电源(UPS)电源时，使用时间不应小于30min;仪表及控制系统供电设计应按现行行业标准《石油化工仪表供电设计规范》SH/T3082和《仪表供电设计规定》HG/T20509的有关规定执行。
2仪表接地系统可包括保护接地和工作接地，工作接地可包括信号回路接地、屏蔽接地、本质安全仪表系统接地;采用等电位连接的原则，接地电阻应符合有关分散型控制系统(DCS)厂商的要求。仪表接地设计应按现行行业标准《石油化工仪表接地设计规范》SH/T3081和《仪表系统接地设计规范》HG/T20513的有关规定执行。3仪表气源应采用净化空气，仪表进口空气压力不应小于0.6MPa，空气压缩机出口空气压力不宜小于0.7MPa，露点温度应低于当地最低极端温度10℃。仪表供气设计应符合现行行业标准《石油化工仪表供气设计规范》SH/T3020和《仪表供气设计规定》HG/T20510的有关规定。4仪表伴热应采用电伴热或蒸汽伴热形式，并应符合现行行业标准《石油化工仪表及管道伴热和绝热设计规范》SH/T3126和《仪表及管线伴热和绝热保温设计规范》HG/T20514的有关规定。
7辅助设施
7.1压缩空气站
7.1.1压缩空气站设计应满足工艺和仪表用气要求，并应符合现行国家标准《工业自动化仪表气源压力范围和质量》GB4830和《压缩空气站设计规范》GB50029的有关规定。
7.1.2空气压缩机的吸风口应位于空气洁净处，应在厂区有害气体和固体尘埃释放源的全年最小频率风向的下风侧。
7.1.3空气压缩机的选型和台数应根据各车间用气量、自身用气量、压力要求，以及气路系统损耗确定，并应设置备用机组或可替代气源。空气压缩机应选用效率高、低噪声的节能机型。
7.2制氮站
7.2.1制氮站可与压缩空气站设置在同一建筑物内，也可靠近压缩空气站;制氮用的压缩空气与作为仪表气源的压缩空气可由同个机组产出，也可分机组独立产出。
7.2.2氮气质量应符合下列规定：
1压力应大于或等于0.7MPa;
2氮气纯度应大于或等于99.999%;
3露点应小于或等于—65℃。
7.2.3制氮站供气量应包含工艺生产系统置换用气、保护用气及管网损耗的总用量，并应大于生产事故的最大用量。
7.2.4制氮站的液氮储存量应根据制氮机组事故状况下恢复正常产气的时间确定，应保证主生产系统的安全用量。
7.2.5制氮系统应具有自动调节气量功能，并应根据用气需求降低或提高产气负荷。
7.3制氢站
7.3.1制氢站设计应符合现行国家标准《氢气站设计规范》GB50177的有关规定，并应独立设置。
7.3.2制氢工艺路线选择应根据所在地区原料储备、原料价格、能源结构、能源价格等情况，经技术经济分析比较后确定，并应选择安全可靠、环保的节能设备。
7.3.3氢气纯度应大于99.999%，露点应小于—65℃。
7.4导热油
7.4.1导热油产品型号应根据最高使用温度、价格及使用寿命技术经济比较后确定。
7.4.2导热油加热系统设计应符合现行行业标准《导热油加热炉系统规范》SY/T0524的有关规定，并应靠近主要的负荷中心区，管线布置应短捷。
7.4.3厂区管网宜架空敷设，管道宜利用自然弯曲补偿管道热伸长。
7.5纯水制备
7.5.1硅芯、石墨件及硅料清洗应采用纯水。
7.5.2纯水站位置应满足工艺总体布局的要求，并应就近用水设备布置。
7.5.3纯水水质指标不应低于表7.5.3的规定。
表7.5.3纯水水质指标
注：表中第11项～第34项采用电感耦合等离子体质谱(ICP/MS)检测。
7.5.4纯水储存和分配应符合下列规定：
1纯水储存罐体和输送管道材料应满足生产工艺的水质要求，宜选择洁净聚氯乙烯管(Clean-PVC)、聚偏二氟乙烯管(PVDF)等管材，管道附件与阀门等应采用与管道相同的材质。
2纯水输送管道系统应采用循环方式。设计和安装时，不应出现使水滞留和不易清洁的部位。循环干管的流速宜大于1.5m/s，不循环的支管长度不应大于管径的6倍。
3纯水储罐和输送系统应设置清洗系统。
7.5.5纯水制备、储存和分配应符合现行国家标准《电子工业纯水系统设计规范》GB50685的有关规定。
7.6制冷
7.6.1工艺生产用冷要求低于—30℃时，宜采用直接蒸发式制冷系统。
7.6.2工艺生产等系统所需的冷冻站宜集中设置，并应临近负荷中心布置。
7.6.3冷冻系统设计宜采用闭式循环系统。
7.6.4采用乙二醇作为载冷剂时，乙二醇水溶液储罐容积应满足系统停车时系统内部乙二醇水溶液的储存要求，受场地限制时，应设置临时储罐。
7.7蒸汽
7.7.1蒸汽源选择应符合下列规定：
1蒸汽源选择应根据生产规模、热负荷及所在地区的能源结构、政策等因素综合论证确定;
2应利用工厂周边已有的热电厂或区域供热站等蒸汽系统，当外部汽源不能满足所需热负荷时，应自建锅炉房供汽。
7.7.2锅炉房设计应符合现行国家标准《锅炉房设计规范》GB50041的有关规定，并应符合下列规定：
1宜采用燃气、燃油锅炉;环境许可时，可采用燃煤锅炉;锅炉选用应符合环保要求。
2宜选用饱和蒸汽锅炉。
3锅炉容量和数量应适应热负荷变化，数量不应少于2台，且不宜超过5台，可设置备用锅炉。
4锅炉宜选用相同型号。
5锅炉房应留有扩建场地。
7.7.3蒸汽压力的确定应符合下列规定：
1应在满足用户需要的前提下选择供汽压力;
2应根据生产工艺和空气调节用汽情况选择蒸汽管网输送压力，全厂蒸汽管网压力等级不宜多于3个等级;
3蒸汽减温减压系统宜集中设置，应满足工艺装置开车时的用汽负荷要求;
4减压阀后应设置安全阀。
7.7.4蒸汽系统设计应符合下列规定：
1用汽设备进口或蒸汽系统总管宜设置蒸汽计量装置;
2全厂蒸汽冷凝水宜回收利用。
8建筑结构
8.1一般规定
8.1.1建(构)筑物的火灾危险性分类、耐火等级不应低于表8.1.1的规定。
表8.1.1建(构)筑物的火灾危险性分类、耐火等级
8.1.2多晶硅工厂建(构)筑物之间的最小间距应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的有关规定，露天工艺装置与建(构)筑物之间的最小间距应符合现行国家标准《石油化工企业设计防火规范》GB50160的有关规定。
8.1.3有爆炸危险的甲、乙类火险设备宜露天或半露天布置，但有工艺洁净要求或有防冻、防风沙限制的设备可设在厂房建筑内，爆炸危险区范围的划分应按现行国家标准《爆炸危险环境电力装置设计规范》GB50058的有关规定执行。有爆炸危险的甲、乙类厂房泄压面积的设置应按现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的有关规定执行，并应对人员安全疏散采取防护措施。
8.1.4厂房、仓库的防火分区应符合下列规定：
1厂房、仓库的防火分区应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的规定。
2甲、乙、丙类多层厂房内各层由不同功能房间组成时，宜按层划分防火分区，疏散楼梯应采用封闭楼梯间或室外楼梯。封闭楼梯间的设计应按现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的规定执行，封闭楼梯间的门应为乙级防火门，门应向疏散方向开启，双扇门应具备顺序启闭功能;室外楼梯的设计应按现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的有关规定执行。
8.1.5厂房和露天装置中操作人员和建筑的安全卫生设计应符合国家现行有关工业企业设计卫生标准的规定，工艺装置还应符合现行行业标准《石油化工企业职业安全卫生设计规范》SH3047的有关规定。
8.1.6厂房、辅助用房、公用工程等建筑内装修设计应按现行国家标准《建筑内部装修设计防火规范》GB50222的有关规定执行。
8.2主要生产厂房和辅助用房
8.2.1还原厂房及辅助设施的布置应符合下列规定：
1还原厂房及辅助设施宜采用钢筋混凝土结构或钢结构，耐火等级不应低于二级。
2还原炉室为甲类火险且有防爆要求时，厂房内不应设置办公室、休息室。其他辅助房及卫生间等需要布置时，必须布置在还原炉室端墙贴邻一侧。并应采用耐火极限不低于3.0h的不燃体防爆防护墙与还原炉室分隔。当防爆防护墙兼作防火墙时，耐火极限应为4.0h。
3变压器室、调功器室、高压启动室、炉体清洗检修间、炉体冷却水系统等辅助房间，应与还原炉室布置在不同的隔间或防火分区内，并必须用防火墙、防爆防护墙、防火楼板分隔，平面布置应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的有关规定;还原炉室墙外侧有汇流排等易燃易爆设施时，应设置具有防爆防护功能的半高隔墙。
4人员进入还原厂房宜经过净化室。人员净化室布置在厂房山墙一侧时，应用防爆防护墙与还原炉室分隔。
5还原厂房应采用封闭楼梯间，直通还原炉室的封闭楼梯间应设置具有防爆防护功能的前室。
6还原厂房的楼梯间布置及疏散距离应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的有关规定。疏散梯设为室外楼梯时，应按现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的有关规定执行。
7还原炉室应按检修需要布置设备检修平台和钢梯，钢梯净宽不应小于700mm，坡度不宜大于45°。
8还原厂房的管道夹层应采用敞开或半敞开式布置，顶棚应采取防止气体积聚的措施，设置吊顶时，吊顶应平整、密封、不留死角，多雨地区应采取挡雨措施。
8.2.2整理厂房布置应符合下列规定：
1整理厂房宜采用钢筋混凝土结构或钢框架结构，耐火等级不应低于二级，防火分区、安全疏散口布置及疏散距离均应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的有关规定。
2应合理布置洁净区、普通生产区及辅助房间，在洁净区内人流路线应避免往复交叉。厂房内货运电梯前应布置缓冲间，宽度应与电梯井道相同，进深不应小于3m。
8.2.3还原厂房与整理厂房连廊布置应遵循合理、方便、安全的原则，并应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的规定。连廊的空气洁净度要求应符合本规范第8.4.1条第1款的规定。
8.2.4厂房内洁净区的人员净化室和物料净化室设置应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB50073的有关规定，更衣室、卫生间设置应符合国家现行有关工业企业设计卫生标准的规定。
8.2.5辅助用房设计应符合下列规定：
1变电所设计应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016和《火力发电厂与变电站设计防火规范》GB50229的有关规定。
2全厂性的中央控制室宜独立设置，与其他建(构)筑物的防火间距应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的有关规定。
3中央控制室同其他建筑合建时应划分成独立的防火分区。当合建的建筑位于爆炸危险区内时，应采取防爆防护措施，建筑的安全出口不应直接面对有爆炸危险的装置。
4压缩空气站、制氮站设计应符合现行行业标准《压缩机厂房建筑设计规定》HG/T20673的有关规定。
5制氢站、循环水站、工艺废料废液处理、污水处理站、脱盐水站、锅炉房、综合仓库、综合维修厂房、硅粉库、化学品库、泡沫站等辅助用房的防火设计，应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的有关规定。
8.2.6装置框架、构筑物设计应符合下列规定：
1氢化厂房、精馏装置、还原尾气干法回收装置等甲类火险等级的装置框架，宜采用钢筋混凝土框架结构;在受施工等条件限制时，可采用钢结构框架，耐火等级不应低于二级，钢结构应采取耐火保护和防腐蚀处理。
2露天装置的钢结构框架耐火保护应符合现行国家标准《石油化工企业设计防火规范》GB50160的有关规定。
3甲类原料罐区防火堤设计应符合现行国家标准《储罐区防火堤设计规范》GB50351的有关规定。储存有毒性液体罐区应按现行行业标准《石油化工企业职业安全卫生设计规范》SH3047的要求对堤内地坪、排水沟、集水坑等采取防漏措施。
8.3防火、防爆
8.3.1还原、整理厂房的防火、防爆设计应符合下列规定：
1厂房防火分区及疏散口布置及疏散距离应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的有关规定。
2还原炉室应采用泄爆墙及带有通风设施的泄压屋面，在外墙设置泄压面时应对室外贴邻的汇流排等易燃易爆设施设置保护性的防爆防护半高隔墙。外墙与屋面泄压面积应符合下列规定：
1)泄压面积的计算应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的有关规定。
2)泄压设施应采用易于脱落的轻质屋盖、易于泄压的门和窗及轻质墙体作为泄压面积。作为泄压面积的轻质墙体及轻质屋面板自重不得超过60kg/m2，材料的燃烧性能应为A级。
3还原炉室防爆防护墙上开的门应为防爆门，防爆门的耐火极限不应低于0.90h，当防爆墙兼作防火墙时，防爆门的耐火极限不应低于1.20h，通向疏散通道和疏散楼梯的防爆门开启方向应朝向疏散方向。
4厂房洁净区的防火设计应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB50073的有关规定。
5还原炉室外墙和屋面泄压面积的设置宜靠近爆炸危险源。
8.3.2制氢站防火、防爆设计应符合下列规定：
1制氢站防火分区及疏散口布置及疏散距离应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的有关规定;
2制氢装置房间与其他辅助房间应用防爆防护墙分隔，制氢装置房间的屋面或墙面应设置泄压面积;
3泄压面积计算和设置要求应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的有关规定;
4建筑结构设计应按现行国家标准《氢气站设计规范》GB50177的有关规定执行。
8.3.3装置变电所防火分区、疏散口布置及疏散距离等应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016和《火力发电厂与变电站设计防火规范》GB50229的有关规定。
8.3.4氢化、精馏等露天装置及构筑物的防火、防爆设计应符合下列规定：
1露天装置框架设计应符合现行国家标准《石油化工企业设计防火规范》GB50160的有关规定;
2当装置框架为钢结构时，钢结构的耐火保护应符合现行国家标准《石油化工企业设计防火规范》GB50160的有关规定。
8.3.5罐区的防火、防爆设计应符合下列规定：
1甲、乙类可燃液体地上储罐的罐区设置，应符合现行国家标准《石油化工企业设计防火规范》GB50160的有关规定;
2防火堤的设计应符合现行国家标准《储罐区防火堤设计规范》GB50351的有关规定。
8.3.6辅助用房及公用工程的建筑防火设计应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的有关规定。
8.4洁净设计及装修
8.4.1还原、整理厂房洁净设计及装修应符合下列规定：
1半导体级多晶硅还原厂房的还原炉室应按洁净厂房进行设计，空气洁净度等级不应低于8级。平面布置、人员净化、物流净化、室内装修应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB50073的有关规定。当设有通往整理厂房的连廊时，连廊的空气洁净度等级和处理方法应与还原炉室的要求一致，宜符合本规范附录C的规定。
2还原炉室地面宜采用耐磨的洁净地面，当采用水磨石地面时，应采取防静电措施。墙面宜采用外贴洁净板或防静电树脂涂料。
3整理厂房空气洁净度等级及洁净区划分应按工艺要求设置，空气洁净度不应低于8级。平面布置、人员净化、物流净化、室内装修，应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB50073的有关规定。
4整理厂房的洁净房间地面宜采用环氧自流平地面、聚氯乙烯(PVC)膜材料或水磨石地面，地面应采取防静电措施。
8.4.2其他建(构)筑物的地面及装修应符合下列规定：
1厂房地面与室外自然地坪高差宜大于或等于300mm。
2有洁净要求的房间地面应满足工艺生产要求，地面应平整、耐磨、易清洗、不易积聚静电、避免眩光、不开裂，踢脚不应突出墙面。地面垫层宜配筋，潮湿地区应有防潮措施。
3洁净房间的门窗、墙面、顶棚装修应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB50073的有关规定。
4普通区辅助房间地面应根据使用性质和要求选用，室内装修应符合现行国家标准《建筑内部装修设计防火规范》GB50222的有关规定。
8.5防腐蚀
8.5.1多晶硅工厂腐蚀性介质类别的划分应符合表8.5.1的规定。
表8.5.1多晶硅工厂腐蚀性介质类别划分
注：1介质本身无腐蚀性，但遇水后生成盐酸，为强腐蚀性;
2表中腐蚀介质的类别应按现行国家标准《工业建筑防腐蚀设计规范》GB50046的有关规定分类。
8.5.2建(构)筑物防腐蚀处理应符合下列规定：
1地面防腐蚀应符合现行国家标准《工业建筑防腐蚀设计规范》GB50046的有关规定，并应符合下列规定：
1)有液态介质腐蚀的地面应以块材面层或整体面层防腐蚀为主，不经常接触液态介质腐蚀的露天装置楼面的整体面层可选择耐候性好的防腐蚀耐磨涂料，厚度不应小于0.5mm～1mm，室外环境下不得使用环氧涂料;
2)露天装置钢结构框架楼面选用钢格板时，钢格板应采用耐腐蚀的材料制作或进行防腐蚀处理，也可对钢格板楼面采取局部承接盘引流等防泄漏措施;
3)有液态介质腐蚀的底层地面排水坡度不宜小于2%，楼层不宜小于1%;
4)有液态介质腐蚀的地面排水沟宜采用明沟，沟宽超过300mm时应设置耐腐蚀的箅子板或沟盖板，地沟底面的纵向坡度宜为0.5%～1%。
2在气态介质和固态粉尘介质作用下，墙面、顶棚、梁、板、柱等建筑构件的表面防护宜以防腐涂料为主，防腐涂料的使用情况应符合现行国家标准《工业建筑防腐蚀设计规范》GB50046的有关规定。
3有液态介质腐蚀的钢筋混凝土池、槽、坑的防腐蚀应符合现行国家标准《工业建筑防腐蚀设计规范》GB50046的有关规定。
8.6结构设计
8.6.1结构设计应根据工艺布置要求、生产特性以及工程地质条件等因素，选择技术先进、经济合理、安全适用的结构设计方案。
8.6.2多晶硅工厂建(构)筑物的设计基准期应为50年。
8.6.3多晶硅工厂建(构)筑物抗震设防划分，应根据生产规模、产品性状、生产特点、社会影响、停产损失和修复难度等因素确定，并应符合现行国家标准《建筑工程抗震设防分类标准》GB50223的有关要求。主要生产装置建(构)筑物抗震设防类别应符合表8.6.3的规定。
表8.6.3主要生产装置建(构)筑物抗震设防类别
注：乙类建(构)筑物应按高于当地抗震设防烈度一度采取抗震措施。
8.6.4多晶硅厂房设计应说明结构用途，在设计使用年限内未经技术鉴定或设计许可，不得改变结构用途和使用环境。
8.6.5设计荷载应符合下列规定：
1建(构)筑物楼面均布活荷载标准值及其组合值、频遇值、准永久值系数应按生产实际情况确定，缺乏资料时，可按表8.6.5执行。
表8.6.5建(构)筑物楼面均布活荷载
注：1表中带括号的标准值用于设备安装、检修分部件较大时;
2屋面用作楼面时，按楼面设计;
3屋面活荷载不与雪荷载同时计算;
4高低跨时，受施工影响，低跨屋面荷载可增加;
5屋面荷载尚应计算管道等悬挂设施的作用;
6表中所列荷载不包括隔墙自重;
7计算地震作用时，组合值系数按现行国家标准《建筑抗震设计规范》GB50011的规定执行。
2建(构)筑物的设备荷载标准值应根据设备条件确定。计算时可分解为永久荷载和可变荷载。
3当还原厂房根据工艺专业要求设置多台吊车时，计算竖向和水平荷载参与组合的吊车台数不宜多于2台，其荷载标准值应根据吊车工作级别乘以0.9～0.95的折减系数。
4动力设备的基础设计应按现行国家标准《动力机器基础设计规范》GB50040的有关规定执行，各类动力设备的动力荷载及其分布位置应由设备制造厂商提供。
5搬运、装卸设备时的动力系数可取1.1～1.2。
8.6.6材料选择应符合下列规定：
1材料选用应因地制宜，其性能应符合现行国家标准《工业建筑防腐蚀设计规范》GB50046有关结构构件所处环境的要求;
控制室、办公室等人员集中场所的建材及外加剂选用应符合现行国家标准《民用建筑工程室内环境污染控制规范》GB50325的有关要求。
8.6.7建(构)筑物基础宜采用天然地基。遇有下列情况之一时，应采用人工地基：
1天然地基的承载力或变形不能满足建(构)筑物的使用要求。
2地基有良好的下卧层，经技术经济比较，采用人工地基比天然地基更为经济合理。
3地震区地基存在不能满足抗液化要求的土层;当采用人工地基时，宜对界区内进行整片处理。
4位于湿陷性黄土、膨胀土、冻胀土、盐渍土地区的建(构)筑物，应分别符合国家现行标准《湿陷性黄土地区建筑规范》GB50025、《膨胀土地区建筑技术规范》GB50112、《冻土地区建筑地基基础设计规范》JGJ118及《盐渍土地区建筑规范》SY/T0317的有关规定。
8.6.8基础埋深应满足工艺、暖通、给排水等专业地下管道的要求;位于腐蚀区域时，应符合现行国家标准《工业建筑防腐蚀设计规范》GB50046的有关要求。
8.6.9多层厂房宜采用现浇钢筋混凝土框架结构或钢框架结构，单层厂房可采用门式刚架轻型钢结构或钢筋混凝土排架结构，大跨度屋盖宜采用轻型钢结构，设备基础可采用块式、墙式、箱形或框架式等结构形式。
8.6.10结构布置应符合下列规定：
1厂房的柱网应整齐，并应符合建筑模数;次梁布置应规则，并应受力明确;
2厂房内的大型设备基础、独立构筑物、整体地坑等，宜与厂房柱基础分开设置;
3与厂房毗邻的建筑物，宜用伸缩缝与厂房分开设置;
4在高压缩性软土地基上的厂房，建筑物室内地面或附近有大面积堆料时，应计算堆料对建筑物基础的影响，并应对差异沉降采取措施;
5建(构)筑物沉降观测点设置应符合现行行业标准《建筑变形测量规范》JGJ8的有关规定，并应按现行行业标准《建筑变形测量规范》JGJ8的有关规定进行变形观测。
8.6.11结构计算应符合下列规定：
1结构计算时应进行整体作用效应分析，对结构中受力状况特殊部位尚应进行更详细的分析;
2采用等效均布活荷载计算的生产厂房，宜采用普通结构力学方法计算板、梁、柱的内力。
8.6.12构造要求应符合下列规定：
1混凝土结构梁、板、柱钢筋保护层厚度应按现行国家标准《混凝土结构设计规范》GB50010的相应环境类别取值。对腐蚀环境，应符合现行国家标准《工业建筑防腐蚀设计规范》GB50046的规定。构件的混凝土保护层厚度应满足厂房相应防火等级的耐火极限要求。
2设备基础周边宜配置抗裂钢筋。基础顶面宜预留30mm～50mm厚度的找平层，宜采用水泥基灌浆材料二次浇灌。
3设备基础的地脚螺栓不应采用冷加工钢材。
4支撑工艺及供热外管的管架、管廊应根据电气专业划分的爆炸危险区范围确定防火区域，并应采取防火措施。
9给水、排水和消防
9.1给水
9.1.1给水工程设计应符合现行国家标准《室外给水设计规范》GB50013和《建筑给水排水设计规范》GB50015的规定。
9.1.2生产用水水量及水质应根据工艺要求确定;生活饮用水应符合现行国家标准《生活饮用水卫生标准》GB5749的水质要求，用水标准及定额应符合现行国家标准《建筑给水排水设计规范》GB50015的有关规定。
9.1.3可能发生物料泄漏的装置区及储罐区必须设置紧急淋浴器和洗眼器。
9.1.4水源选择时，建设单位应对水资源进行勘察，并应提供可开采水量及水质的全分析资料;水源为地表水时，应按水体保证率为95%的可取水量对河道的影响进行论证。
9.1.5当采用地下水为水源时，采用管井取水应设置备用水源井，备用井的数量宜为取水井数量的20%，但不得少于1口井。
9.1.6水资源应实现综合回收利用，全厂水重复利用率应大于或等于95%。
9.1.7当给水管道穿越厂房洁净区时，应满足现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB50073的有关规定。
9.2排水
9.2.1排水工程设计应符合现行国家标准《室外排水设计规范》GB50014和《建筑给水排水设计规范》GB50015的有关规定。
9.2.2室外排水系统应采用雨污分流制，前期雨水应收集处理;在缺水地区，宜设置雨水利用系统。
9.2.3雨水管、渠设计重现期应符合现行国家标准《室外排水设计规范》GB50014的有关规定。
9.2.4生产废水的排水系统应根据废水的性质、水质、水量以及废水处理工艺确定，宜采用自流方式排水。
9.2.5厂区应设事故收集池，其容积应包括装置区露天部分雨水、事故泄漏量及事故时消防用水量。
9.2.6高浓度含氟废液输送管宜明装敷设。架空敷设时，在管件或接口处宜采取防腐措施;管沟内敷设时，排水管支架应采取防腐处理，并应设事故排水贮存功能的措施。
9.2.7当排水管道穿越厂房洁净区时，应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB50073的有关规定。
9.3废水处理
9.3.1废水处理应遵循节水优先、分质处理、优先回用的原则。
9.3.2废水处理设施的位置应满足工艺总体布局要求。
9.3.3废水处理设施应根据工艺生产排出的废水种类、浓度及水量确定，处理后的出水水质应符合国家和地方的有关排放要求。
9.3.4高浓度含氟废液必须采取预处理措施。
9.3.5距废水处理设施构筑物的10m～50m的区域宜设置地下水监测点。
9.4循环冷却水系统
9.4.1多晶硅工厂设备冷却水系统的设计应符合现行国家标准《工业循环水冷却设计规范》GB/T50102和《工业循环冷却水处理设计规范》GB50050的有关规定。
9.4.2循环水系统应根据水温、水压、水质及设备运行要求设置，分设不同循环水系统。
9.4.3硅芯拉制炉、单晶炉和还原炉电极的循环水系统必须采取相应的保安措施。
9.4.4循环水系统应根据水质情况，合理设置水质稳定处理装置，稳定循环水水质，减少系统排污量。
9.5消防
9.5.1多晶硅工厂应设置消防设施，并应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016、《石油化工企业设计防火规范》GB50160和《建筑灭火器配置设计规范》GB50140的有关规定。
9.5.2多晶硅工厂装置区、储罐区必须设置独立的稳高压消防给水系统，其压力应为0.5MPa～1.2MPa。其他场所应设置低压消防给水系统。
9.5.3装置区、储罐区应设置固定式消防水炮，并应符合现行国家标准《固定消防炮灭火系统设计规范》GB50338的有关规定。
9.5.4储罐区应配置灭火毯及灭火砂，灭火毯的数量不应少于2块，灭火砂的数量不应少于2m3。
9.5.5全厂分散型控制系统(DCS)机柜室应设置气体灭火系统，并应符合现行国家标准《气体灭火系统设计规范》GB50370的有关规定。
9.5.6厂房的洁净区内不宜采用干粉灭火器。
10采暖、通风与空气调节
10.1一般规定
10.1.1采暖、通风、空调与空气净化系统设计应满足生产工艺对生产环境的要求，主要建筑物空气洁净度、温度、湿度的设计要求宜符合本规范附录C的规定。
10.1.28级以上洁净室(区)不应采用散热器采暖，其他厂房或房间的采暖系统设置应符合现行国家标准《采暖通风与空气调节设计规范》GB50019的有关规定。
10.1.3严寒地区还原车间的管道夹层采用热风采暖时，不应回风。
10.2通风
10.2.1通风系统设置应满足生产工艺、劳动卫生、人员安全以及环境保护等方面的要求。
10.2.2有负压要求的房间采用机械方式送风时，各房间的送风量与岗位送风量之和应小于排风量，房间应保证微负压。
10.2.3还原炉室与非防爆区相邻应保持微负压，其局部排风与整体排风应符合下列规定：
1还原炉室应设局部排风、整体排风与事故排风系统，总排风量不得小于6次/h的换气次数;
2排风机应设置在单独的机房内，并应按防爆要求采用防爆风机，电源应接入应急电源，应与氢气浓度检测探头连锁;
3事故排风机宜设置备用风机;
4事故吸风口上缘至顶板的距离不应大于0.1m;
5风管应采取防静电接地措施。
10.2.4还原车间的管道夹层四周不宜设外墙，管道夹层上部结构梁内应设防止氢气聚集的导流管，导流管上边缘至楼板的距离不应大于0.1m;当管道夹层四周设有外墙时，应设置整体通风与事故排风系统，并应符合本规范第10.2.3条的有关规定。
10.2.5生产工艺排出的酸性废气应符合下列规定：
1腐蚀清洗设备、配酸柜等设备排出的酸性废气应采用局部排风，所含酸性废气应采用酸雾净化塔进行处理;
2实验室通风柜排出酸性废气宜采用活性炭吸附装置进行处理。
10.2.6喷砂、硅棒破碎等生产工艺产生的粉尘应设置袋式过滤器除尘系统。
10.2.7硅芯炉泵房、石墨煅烧炉泵房等应设置整体排风系统，通风换气次数应大于或等于6次/h。
10.2.8排除酸性废气及粉尘的系统设计应符合下列规定：
1酸性废气、粉尘等的净化处理装置宜设置在负压段;
2酸性废气净化系统宜设置备用风机，电源应接入应急电源;
3风机宜设置变频装置;
4酸性废气及粉尘应处理达标后排入大气，排气筒高度应符合现行国家标准《大气污染物综合排放标准》GB16297的有关规定;
52台及以上废气处理设备并联运行时，宜在每台设备的入口设置电动或气动密闭风阀。
10.2.9排风系统风管材料应符合下列规定：
1排除有爆炸性气体或余热宜采用镀锌钢板风管;
2排除酸性、碱性废气宜采用难燃型耐腐蚀玻璃钢风管或阻燃型塑料风管;
3排除有机废气宜采用不锈钢风管;
4排除含有粉尘的空气宜采用碳钢风管。
10.2.10洁净区排风管上应采取防止室外空气倒灌的措施。
10.2.11各动力站房应有良好的通风措施，宜采用自然通风;当自然通风不能满足生产或安全、卫生要求时，应设置机械通风或自然通风与机械通风的联合通风方式。
10.2.12现场分析室应设置正压通风，正压通风系统应设置中效过滤。
10.3空气调节与净化
10.3.1厂房空气洁净度等级、温度、湿度的设计应满足生产工艺要求。
10.3.2存在下列情况之一时，空调系统应分开设置：
1净化空调系统与一般空调系统;
2空气中含有易燃、易爆物质;
3容易产生交叉污染，对其他工序的产品质量造成影响;
4对温、湿度控制要求差别大;
5工艺设备散热量相差悬殊。
10.3.3保证空气洁净度等级的送风量应符合下列规定：
15级～8级洁净室送风量应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB50073的有关规定;
2生产太阳能级多晶硅的还原炉室，当空调系统为三级过滤时，其送风量应按换气次数大于或等于6次/h计算。
10.3.4空调系统新风量应取下列两项中的较大值：
1补偿室内排风量和保持室内正压值所需新风量之和;
2保证供给室内每人每小时的新风量，洁净区不应小于40m3，非洁净区不应小于30m3。
10.3.5洁净室送风可采用集中送风或风机过滤机组送风的方式。
10.3.6洁净室与周围区域的压差应符合下列规定：
1不同等级的洁净区之间的压差不应小于5Pa;
2洁净区与非洁净区之间的压差不应小于5Pa;
3洁净区与室外的压差不应小于10Pa。
10.3.7洁净空调送风、回风和排风系统的启闭应连锁，正压洁净室连锁程序应为先启动送风机，再启动回风机和排风机;关闭时连锁程序应相反。
10.3.8单向流和混合流洁净室的空态噪声级不应大于65dB(A)，非单向流洁净室的空态噪声级不应大于60dB(A)。
10.3.9还原车间应独立设置直流空调送风系统，不应回风。
10.3.10腐蚀清洗室、硅棒破碎室、配件清洗室的空调送风系统不宜回风。
10.3.11洁净空气调节系统的新风集中处理时，新风处理机组应符合下列规定：
1新风应经过粗效过滤器处理;
2严寒地区新风应先预热;
3送风机宜采取变频措施。
10.3.12空气过滤器选用、布置应符合下列规定：
1空气净化处理应根据空气洁净度等级选用过滤器;
2空气过滤器处理风量不应大于额定风量;
3中效(高中效)空气过滤器宜集中设置在空调系统的正压段;
4亚高效和高效过滤器宜设置在净化空调系统的末端。
10.3.13风机过滤机组的设置应符合下列规定：
1应根据空气洁净度等级和送风量选用;
2送风量应能调节;
3应便于安装、维修及过滤器更换。
10.3.14净化空调系统的送风机宜采用变频装置。
10.4防排烟
10.4.1多晶硅厂房防排烟系统的设计应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的有关规定。
10.4.2机械排烟系统宜与通风、空调系统分别设置。排烟补风系统宜与通风、空调系统合用。
10.4.3机械排烟系统应符合下列规定：
1排烟系统的密闭空间应设置补风系统，补风量不宜小于排烟量的50%，且房间疏散门内外的压差不宜大于30Pa;
2发生火情时应能手动和自动开启对应防烟分区的排烟口、排烟防火阀，应同时启动排烟风机和补风机。
10.5空调冷热源
10.5.1冷热源站应根据总图规划、工艺布局、气象条件、能源供应状况、输送能耗等因素确定;集中冷热源站宜独立设置，也可在生产厂房内设置。
10.5.2冷源设计应符合下列规定：
1具有常年余热蒸汽或热水时，应采用溴化锂吸收式冷水机组供冷;
2无蒸汽或热水作为热源时，可采用电动压缩式冷水机组供冷;
3具有多种能源时，可采用复合式能源供冷;
4夏热冬冷地区、干旱缺水地区的办公楼、宿舍楼、食堂等建筑，可采用空气源或地源热泵冷(热)水机组供冷、供热。
10.5.3热源设计应符合下列规定：
1应选用工厂余热作为供热热源，可加装热回收装置或热交换机组回收热能;
2采用城市集中供热热源时，供热管网及换热站的设计应符合现行行业标准《城镇供热管网设计规范》CJJ34的有关规定;
3采用锅炉供热时，应符合现行国家标准《锅炉房设计规范》GB50041的有关规定;
4工艺冷却水可以利用且经技术经济比较合理时，可采用吸收式热泵进行热回收供热。
10.5.4制冷机设计应符合下列规定：
1当工艺需要的冷冻水参数与空调相同时，可使用同一制冷系统。
2制冷机台数及调节性能应满足空气调节及工艺冷负荷需求，并应满足部分负荷运行的调节要求;不宜少于2台;仅设1台时，应选择调节性能优良的机型。
3选用电动压缩式冷水机时，制冷剂应符合有关环保要求。
10.5.5冷热源宜采用集中设置的冷热水机组，制冷机组及供热设备选型应符合现行国家标准《公共建筑节能设计标准》GB50189的有关规定。
10.5.6冷热源站应远离有防微振要求的工艺区域。
10.5.7冷热水系统的设计应符合下列规定：
1宜采用闭式一次泵系统。冷冻水系统较大、阻力较高、各环路负荷特性或压力损失相差悬殊时，应采用二次泵系统。二次泵宜根据流量变化采用变速变流量调节方式。
2定压和膨胀应采用高位膨胀水箱方式。
3冷水机组供回水设计温差不应小于5℃，技术经济比较合理时，可加大供回水温差。
4保冷、保温材料的主要技术性能应按现行国家标准《设备及管道绝热设计导则》GB/T8175的要求确定，并宜选用导热系数小、吸水率低、湿阻因子大、密度小的不燃或难燃的保冷、保温材料。
11环境保护、安全和卫生
11.1环境保护
11.1.1多晶硅工厂环境保护设计应采用清洁生产工艺。
11.1.2多晶硅工厂环境保护设计应遵守国家现行有关光伏制造行业规范条件的要求。
11.1.3污染物处理应采用资源利用率高、污染物排放量少的设备和工艺，对处理过程中产生的二次污染应采取相应治理措施。
11.1.4多晶硅工厂应设置生产废气回收处理设施，排放废气应符合现行国家标准《大气污染物综合排放标准》GB16297中规定的排放限值后再对外排放。
11.1.5生产区内雨水和废水必须分流排放，生产废水应经汇集后处理符合现行国家标准《污水综合排放标准》GB8978和当地环境保护规定后再排放。
11.1.6废渣、废液应根据不同情况分别处理，含氯硅烷的废液和含镍的废硅粉必须无害化处理，污水处理产生的中性渣应外卖、渣场堆存或深埋处理。
11.1.7多晶硅工厂噪声防治设计应符合现行国家标准《工业企业厂界环境噪声排放标准》GB12348的有关规定。
11.2安全
11.2.1安全评价应符合国家有关规定和当地要求，安全保护设计应符合批复的评价报告书的要求;劳动保护设施应与主体工程同时设计、同时施工、同时投入使用。
11.2.2多晶硅工厂防火、防爆、消防等内容设计均应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016和《石油化工企业设计防火规范》GB50160的有关规定，防爆设计还应符合现行国家标准《爆炸危险环境电力装置设计规范》GB50058的有关规定。
11.2.3三氯氢硅合成、还原、四氯化硅氢化、还原尾气干法回收、制氢站、氯硅烷罐区等装置区内，必须根据物料的危害特性和工况条件设置仪表检测报警、自动连锁保护系统、消防应急联动系统和紧急停车装置。
11.3卫生
11.3.1多晶硅工厂劳动卫生设计应符合国家和当地相关法律、法规以及标准的规定，并且劳动卫生设施应与主体工程同时设计、同时施工、同时投入使用。
11.3.2类似氯硅烷贮罐区的装置区应设置紧急淋洗设施;有毒性物料的装置区内应采取防尘、防毒设施，工作场所有害物质浓度应符合国家现行有关工作场所有害因素职业接触限值的规定。
11.3.3防噪、防振、防暑、防寒、防潮设计应符合国家现行有关工业企业设计卫生标准的规定，对产生超标准噪声的设备应采取消声减振、隔振吸声措施。
12节能、余热回收
12.1一般规定
12.1.1多晶硅工厂节能设计应贯穿在可行性研究、初步设计及施工图设计的全过程;可行性研究、初步设计阶段能耗指标设计应根据原料性能、产品品种、质量及产量指标等综合因素确定节能技术措施、用电方案、预设能耗指标及评价，也可提供不同工艺设备和采用节能技术措施前后能耗对比的数据。
12.1.2主要耗能设备宜选用高效节能型或低能耗产品，各专业设计应多方案技术经济比较，应选用节能效果好、技术可靠、经济合理的方案。
12.1.3各个生产装置间应符合安全间距的规定，并应按物料输送距离、管道长度和电缆长度较短的原则布置。
12.1.4多晶硅工厂各个工序的能耗指标应符合国家现行有关光伏制造行业规范条件的规定和现行国家标准《多晶硅企业单位产品能源消耗限额》GB29447有关准入值的规定。
12.1.5多晶硅工厂生产线所采用的中小型三相异步电动机、容积式空气压缩机、通风机、清水离心泵、三相变压器等通用设备，应符合现行国家标准《中小型三相异步电动机能效限定值及能效等级》GB18613、《容积式空气压缩机能效限定值及能效等级》GB19153、《通风机能效限定值及能效等级》GB19761、《清水离心泵能效限定值及节能评价值》GB19762、《三相配电变压器能效限定值及能效等级》GB20052的有关规定。
12.2生产工艺
12.2.1还原炉应选用高效率、低能耗的炉型。
12.2.2多晶硅生产应采用先进的精馏技术，并应将多晶硅生产各工序进行物料平衡和能量平衡计算，应确定能耗低、经济性好、竞争力强的工艺流程。
12.2.3多晶硅生产应优化工艺、采暖、通风、空调参数及换热网络，应实现各种能量的梯级利用。
12.2.4多晶硅工厂应利用多晶硅生产过程中的副产物。
12.2.5多晶硅工厂必须同步设计余热利用系统;还原炉和氢化反应的余热回收应用于提纯精馏塔再沸器的加热，且余热利用系统不应影响多晶硅正常生产，不应提高多晶硅能耗或降低产量。
12.2.6多晶硅生产过程应选用节水、节能型产品，并应符合现行国家标准《节水型产品通用技术条件》GB/T18870的有关规定。
12.2.7设备和管道应选用保温性能良好的绝热材料，保温设计应符合现行国家标准《工业设备及管道绝热工程设计规范》GB50264的有关规定。
12.2.8各装置以及重要设备宜设置计量和检测仪表，并宜设置调节控制装置，以满足全厂和各个系统单独计量考核的要求。
12.2.9多晶硅工厂宜设置循环水系统、高纯水系统、脱盐水系统产生的洁净废水的回收和再利用设施。
附录A地下管线与建(构)筑物之间的最小水平净距
表A地下管线与建(构)筑物之间的最小水平净距(m)
注：①特殊情况可酌减且最多减少1/2，应符合现行国家标准《电力工程电缆设计规范》GB50217的有关规定。
附录B地下管线之间的最小水平净距
表B地下管线之间的最小水平净距(m)
注：①特殊情况可酌减且最多减少1/2，应符合现行国家标准《电力工程电缆设计规范》GB50217的有关规定。
②用隔板分隔或电缆穿管时可为0.1m。
附录C主要房间空气洁净度、温度、湿度
表C主要房间空气洁净度、温度、湿度
注：腐蚀清洗室主要为生产半导体级多晶硅免洗料设置，在清洗设备上设置层流罩，保证在设备内部空气洁净度达到5级。
本规范用词说明
1:为便于在执行本规范条文时区别对待，对要求严格程度不同的用词说明如下：
1)表示很严格，非这样做不可的：
正面词采用“必须”，反面词采用“严禁”;
2)表示严格，在正常情况下均应这样做的：
正面词采用“应”，反面词采用“不应”或“不得”;
3)表示允许稍有选择，在条件许可时首先应这样做的：
正面词采用“宜”，反面词采用“不宜”;
4)表示有选择，在一定条件下可以这样做的，采用“可”。
2:条文中指明应按其他有关标准执行的写法为：“应符合……的规定”或“应按……执行”。
